제가 사용 중인 ASUS보드(ASUS CrossHair GENE x670e, BIOS 0705)에서 삼성 램 오버를 맞치고 결과물 올려봅니다.
요약
DDR5에서 삼성램은 참 좋지 않은게 맞는거 같습니다.
tFAW는 20, tRFC는 800 때 밑으로 내려가질 못해 하이닉스 램보다 한참 못미치는 성능이 나옵니다.
( tRCD랑 tRP도 36 밑으로 안되네용 ㅠㅠ)
[DDR5 삼성램 오버클럭 관련글]
- Ryzen 7950x3D 성능 공유 (Samsung RAM, ASUS CrossHair GENE x670e BIOS 1415)
- Ryzen 7950x3D 성능 공유 + 번아웃 관련 잡담 (RAM 6400Mhz, ASUS CrossHair GENE x670e, BIOS 1202)
- 7900x → 7950x3D 변경 시 성능 공유 (Samsung DDR5 6400Mhz, CrossHair GENE x670e, BIOS 0922)
- Ryzen ZEN4 7900x & Samsung RAM DDR5 6400Mhz 성능 공유 (ASUS CrossHair GENE x670e, BIOS 0922)
- Ryzen ZEN4 7900x & Samsung RAM DDR5 6400Mhz 성능 공유 (ASUS CrossHair GENE x670e, BIOS 0805)
- Ryzen ZEN4 7900x & Samsung RAM DDR5 6400Mhz 성능 공유 (ASUS CrossHair GENE x670e, BIOS 0705)
서론
CPU를 Ryzen 5900x에서 7900x로 넘어가면서 DDR5 램을 이번에 새로 나온 AMD EXPO 적용 G.SKill RAM을 구매했었는데요.
램 모듈이 Hynix RAM 모듈이 아니라 Samsung RAM 모듈이라서 많이 실망한 상태였습니다.
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어쨌든 DDR5 램 오버는 DDR4랑 큰 차이는 없을꺼 같은데 그래도 처음이라 DDR5 삼성 램의 특성은 잘 알지 못해서 많이 헤맬꺼라 생각했는데요. 다행히 소울시커님이 영상(Zen4 삼성 램 오버클럭 – https://youtu.be/biMTQcUA5fQ)으로 DDR5 삼성 램 특성을 잘 정리해 올려주신 덕분에 램 오버는 수월하게 할 수 있었는데요.
문제는 RAM Clock을 6400Mhz까지 올리고 세부 램타이밍을 아무리 최대한 조절해도 원하는 만큼 램 성능이 나오지 않더라구요.
램 오버를 시작하기 전 목표 성능은 크게 4가지 였습니다.
– 1차 타이밍 : 36-36-36-74-110 (CL-RCD-RP-RAS-RC, EXPO 스펙 보다 낮게)
– tFAW : 16 ( DDR4때 랑 동일하게 유지 )
– Memory Latency : 59.x ns ( DDR4때 보다 5% 하락 )
– Memory 대역폭 : 85,000 MB/s ( DDR4 때보다 50% 상승! Latency 성능 하락 매꾸기! )
그런데 한필 이게 제가 가장 조이는 세부 램 타이밍 항목 들이 무슨 Limit가 걸린거 같이 일정 이하, 그것도 좋지 못한 수치에서 조절이 되지 않아서 매우 곤란했습니다.
그중에서도 특히 프로그램 다중 운영 시랑 게임 최소 프레임 영향을 많이 주는 tFAW는 20 밑으로 조정 할수 없고, RAM 대역폭도 영향 주지만 RAM Latency에 큰 영향을 주는 tRFC는 800 밑으로 내릴 수 없어 RAM Latency 61 ns 이하를 볼 수 없더라구요.
– 설정 상으로 안내려가는게 아니라 원하는 수치 넣으면 윈도우 진입 자체가 안되더라구요.
tFAW는 20 밑으로 넣으니 윈도우가 크러쉬 생기는 상황이!!!.
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더군다나 Zen4 공개된 MemTest (Latency) 정보를 참고해 보면 6000Mhz C30-38-38-76 (FCLK 2000Mhz)인 상태가 대략 63.6 ns 나오니 1차 세부 램타이밍이 나쁘다고 해도 램 클럭을 6400 Mhz 정도 올리면 FCLK도 2000Mhz에서 2133Mhz로 올리고 세부 램 타이밍을 많이 쪼이면 충분히 50중반 ns도 가능할꺼 같고
5900x & DDR4 3800Mhz(Samsung B-die) 사용 시 56.8ns
(ASUS STRIX-i x570, BIOS 4201)
기존 DDR4 램 사용 시에도 Memory Latency를 56.x ns 사용하고 있구, Zen4에서 DDR5 Memory Latency도 50 ns 때 충분히 가능해 보이니 Samsung 램이 아무리 안좋다고 해도 59.x ns 정도는 할 수 있을꺼라 싶었거든요.
– 다른 하이닉스 램 사용 유저들이 50초중반의 Latency를 보여주고 있기도 해서 삼성이면 그래도 59.x ns는 가능하지 않을까 싶은 생각이 들기도 하구요..
※ 추가 사담
DDR4에서는 삼성램이 강자였는데, DDR5에서는 하이닉스램이 강자가 되어 있더라구요.
DDR5에서의 삼성램은 정말 별로에요.
전체적으로 세부 램타이밍 특히나 성능에 영향을 많이 주는 부분이 낮게 조절이 되질 않더라구요.
1차 세부 램타이밍 부분인 tRCD, tRP, tRAS는 그럭저럭 괜찮은데,
2차 세부 램타이밍 부분은 대부분 손될 수가 없는데 특히나 제가 가장 크게 조이는 tFAW랑 tRFC가 맘에 심각할 수준으로 하이닉스 램을 바로 사야되나 싶을 정도로 맘에 안들더라구요.
– Asus 보드사에서 제공하는 RAM Extreme Tweaker에서도 삼성램의 tRFC는 800 때에요.ㅋㅋ
더불어 tFAW도 20 으로 되어 있구… ㅋㅋ
그리고 EXPO RAM은 tREFi를 조절할 수 있다고 들었는데, 이상하게 지금 바이오스(ASUS CrossHair GENE x670e : 0705)는 전혀 조절되지 않더라구요.
– 자료 출처 : 소울시커님의 EXPO 관련 영상 (https://youtu.be/k-rZ7ahoMKg)
결과
그래서 최종적으로 본 결과는 tFAW 24, Memory 대역폭은 평균 81,000 MB/s, Memory Latency는 62.5 ns 였습니다.
목표 달성한게 하나도 없네요.
– 1차 타이밍 : 32-36-36-46-108 ( 초과 달성!!! CL-RCD-RP-RAS-RC)
– tFAW : 24 ( Fail, 16 → 24 )
– Memory 대역폭 : 평균 81,000 MB/s ( Fail, 85,000 → 81,000 MB/s, 20% 미달 )
– Memory Latency : 62.3 ns ( Fail, 59.x → 62.3 ns )
7900x & DDR5 6400Mhz(Samsung ?-die) 사용 시 62.5ns
(ASUS CrossHair GENE x670e, BIOS 0705)
( DDR5 ZenTimings는 다른 분 보여주려고 사진 찍어 놓은것만 있어서 캡쳐 화면이 아니네용.ㅎㅎ )
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어쨌든 RAM Clock이 3800Mhz에서 6400Mhz로 오르면서 Memory 대역폭도 증가해서 그런지 Memory Latency가 DDR4 때보다 좋지 못해도, 대역폭이랑 CPU 빨이 있어서 그런가 5900x 사용했을때보다는 체감 성능은 좋네요.
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